Флеш-пам’ять

Сторінка 5

У технології MLC використовується аналогова природа елемента пам'яті. Як відомо, звичайний однобітний елемент пам'яті може приймати два стани – "0" або "1". У флеш-пам’яті ці два стани розрізняються за величиною заряду, який поміщено на "плаваючий" затвор транзистора. На відміну від "звичайної" флеш-пам’яті, MLC здатна розрізняти більше двох величин зарядів, поміщених на "плаваючий" затвор, і, відповідно, більше число станів. При цьому кожному стану у відповідність ставиться певна комбінація значень біт.

Під час запису на "плаваючий" затвор поміщається кількість заряду, відповідна необхідному стану. Від величини заряду на "плаваючому" затворі залежить порогова напруга транзистора. Порогову напругу транзистора можна заміряти при читанні і визначити за ним записаний стан, а значить і записану послідовність бітів.

Основні переваги MLC мікросхем:

- Низьке співвідношення $/МБ.

- При рівному розмірі мікросхем і однаковому техпроцесі "звичайної" і MLC-пам'яті, остання здатна зберігати більше інформації (розмір елемента той же, а кількість біт, що зберігаються в ньому – більше).

На основі MLC створюються мікросхеми більшого об'єму, ніж на основі однобітних елементів.

Основні недоліки MLC:

- Зниження надійності, у порівнянні з однобітними елементами, і, відповідно, необхідність вбудовувати складніший механізм корекції помилок (чим більше бітів на елемент – тим складніше механізм корекції помилок).

- Швидкодія мікросхем на основі MLC частіше нижча, ніж у мікросхем на основі однобітних елементів.

Хоча розмір MLC-елемента такий же, як і у однобітного, додатково витрачається місце на специфічні схеми читання/запису багаторівневих елементів (рис. 2.13). Технологія багаторівневих елементів від Intel (для NOR-пам'яті) носить назву StrtaFlash, аналогічна від AMD (для NAND) – MirrorBit.

Рисунок 2.13 – Порівняльна схема одно- та багаторівневих елементів

Страницы: 1 2 3 4 5 

Нове про педагогіку:

Введення поняття тригонометричних функцій числового аргументу
Насамперед потрібно згадати означення тригонометричних функцій кута і поширити їх на будь-яку градусну міру, ввести кут повороту. Крім того, слід переконати учнів, що існує відповідність між множиною ...

Обдаровані діти молодшого шкільного віку
Яких же дітей необхідно називати обдарованими і що таке обдарованість? Нині існує понад 100 (!) визначень обдарованості, при чому серед них немає жодного, яке цілком влаштовувало б хоч якусь частину ...

Навігація по сайту

Copyright © 2019 - All Rights Reserved - www.ipedahohika.com