Флеш-пам’ять

Сторінка 4

Рисунок 2.10 – Ілюстрація неможливості зчитування інформації

При програмуванні (рис. 2.11) на стік і затвор, що керує, подається висока напруга (причому на затвор, що керує, напруга подається приблизно в два рази вище). "Гарячі" електрони з каналу інжектуються на плаваючий затвор і змінюють вольт-амперні характеристики транзистора. Такі електрони називають "гарячими" за те, що мають високу енергію, достатню для подолання потенціального бар'єру, створюваного тонкою плівкою діелектрика.

Рисунок 2.11 – Схема програмування елемента flash-пам'яті

При стиранні висока напруга подається на витік. На затвор, що керує, подається висока напруга з зарядом “-” (рис. 2.12). Електрони тунелюють на витік.

Рисунок 2.12 Схема стирання інформації з елемента flash-пам'яті

Ефект тунелювання – один з ефектів, що використовують хвильові властивості електрона. Сам ефект полягає в подоланні електроном потенціального бар'єру малої "товщини". Для наочності уявимо собі структуру, що складається з двох провідних ділянок, розділених тонким шаром діелектрика (збіднена ділянка). Подолати цей шар звичайним чином електрон не може – не вистачає енергії. Але при створенні певних умов (відповідна напруга і т.п.) електрон проскакує шар діелектрика (тунелює крізь нього), створюючи струм.

Важливо відмітити, що при тунелюванні електрон з’являється "по інший бік", не проходячи крізь діелектрик. Така ось "телепортація".

Відмінність методів тунелювання Фаулера-Нордхейма (FN) і методу інжекції "гарячих" електронів:

- Channel FN tunneling – не вимагає великої напруги. Елементи, що використовують FN, можуть бути менше елементів, що використовують CHE.

- CHE injection (CHEI) – вимагає вищої напруги, в порівнянні з FN. Таким чином, для роботи пам'яті потрібна підтримка подвійного живлення.

Програмування методом CHE здійснюється швидше, ніж методом FN.

Слід відмітити, що, окрім FN і CHE, існують інші методи програмування і стирання елементів, які успішно використовуються на практиці, проте два описаних нами застосовуються найчастіше.

Процедури стирання і запису сильно зношують елемент флеш-пам’яті, тому в новітніх мікросхемах деяких виробників застосовуються спеціальні алгоритми, що оптимізують процес стирання-запису, а також алгоритми, що забезпечують рівномірне використання всіх елементів в процесі функціонування.

Деякі види осередків флеш-пам’яті на основі МОП-транзисторів з "плаваючим" затвором:

- Stacked Gate Cell – елемент з багатошаровим затвором. Метод стирання – Source-Poly FN Tunneling, метод запису – Drain-Side CHE Injection.

- SST Cell, або SuperFlash Split-Gate Cell (Silicon Storage Technology – компанія-розробник технології) – елемент с розщепленим затвором. Метод стирання – Interpoly FN Tunneling, метод запису – Source-Side CHE Injection.

Two Transistor Thin Oxide Cell – двотранзисторний елемент з тонким шаром окислу. Метод стирання – Drain-Poly FN Tunneling, метод запису – Drain FN Tunneling.

Окрім елементів, що найбільш часто зустрічаються, з "плаваючим" затвором, існують також елементи на основі SONOS-транзисторів, які не містять плаваючого затвору. SONOS-транзистор нагадує звичайний МНОП (MNOS) транзистор. У SONOS-елементах функцію "плаваючого" затвору і оточуючого його ізолятора виконує композитний діелектрик ONO. Розшифровується SONOS (Semiconductor Oxide Nitride Oxide Semiconductor) як Напівпровідник-Діелектрик-Нитрид-Діелектрик-Напівпровідник.

Замість нитрида в майбутньому планується використовувати полікристалічний кремній.

Багаторівневі елементи (MLC – Multi Level Cell)

Останнім часом багато компаній почали випуск мікросхем флеш-пам’яті, в яких один елемент зберігає два біти. Технологія зберігання двох і більш біт в одному елементі одержала назву MLC (multilevel cell – багаторівневий елемент). Достовірно відомо про успішні тести прототипів, що зберігають 4 біта в одному елементі. Зараз багато компаній знаходяться у пошуках граничного числа біт, які здатні зберігати багаторівневий елемент.

Страницы: 1 2 3 4 5

Нове про педагогіку:

Психолого-педагогічні особливості формування та використання ігрової діяльності в навчальному процесі початкової школи
Дидактичні ігри на уроках застосовуються у навчанні всіх вікових груп дітей. Особливістю їх є те, що вони створюються і розробляються дорослими для навчання дітей. Дидактичні ігри поєднують елементи ...

Ігри для формування лексичної компетенції на письмі
Існують також інші ігри для формування лексичної компетенції на письмі, які не підлягають класифікації. Ланцюжок із слів Мета: Повторення орфографії слів, алфавіту. Учні стають біля своїх парт. Перши ...

Навігація по сайту

Copyright © 2018 - All Rights Reserved - www.ipedahohika.com